稿源：cnBeta.COM 尽管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最终标准的开发，但芯片大厂之间早就开始了暗自较劲。在旧金山举办的国际固态电路会议（ISSCC）上，SK Hynix 首次详细介绍了自家基于 DDR5 规范的同步 DRAM 芯片。作为同样来自韩国的竞争对手，三星在同一会议上描述了基于低功耗 LPDDR5 规范的 DSRAM 作为反击。
与当前已面世的 DDR4 标准对比，DDR5 能够提供双倍的带宽密度，以及更高的通道效率。原定于去年完成的 DDR5 标准，现仍在持续中，预计相关产品会在今年年底开始出现。
在周三的国际固态电路会议上，海力士芯片设计师 Dongkyun Kim 发表了自家首款 DDR5 芯片的报告。
这是一款 16Gb @ 每引脚 6.4Gbps 的 SDRAM，工作电压 1.1V 。制造节点为 1y 纳米，基于四金属 DRAM 工艺，封装面积 76.22 平方毫米。
Kim 对延迟锁定回路的部分改动进行了深入讲解，表示 Hynix 借助了相位旋转器和注入锁定振荡器，实现了对延迟锁定环（DLL）的修改。以减少在较高时钟速度下，操作相关的时钟抖动和占空比失真。
他还描述了海力士设计团队使用的其它技术，包括用于抵消与更高速度相关的时钟域问题的写入等级训练方法，以及改进的前向反馈均衡（FFE）电路。
与此同时，三星公司描述了一款 10nm 级别的 LPDDR5 SDRAM 。在低至 1.05V 的电压下，它可以达到 7.5 Gb/s 的速率。
JEDEC 在本周早些时候发布了 LPDDR5 标准，最终定下的标准 I/O 运行速率为 6400 MT/s，较 LPDDR4时代提升了 50% 。
如此一来，业界有望大幅提升智能手机、平板电脑、以及超极本等应用场景下的内存速度和效率。此外，Objective Analysis 首席分析师 Jim Handy 披露了三星 LPDDR5 新品的更多技术细节。
[编译自：EETimes]
